特許
J-GLOBAL ID：200903085350288598
半導体レーザー
発明者：
出願人/特許権者：
,
代理人 (1件)：
樺山 亨 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-190669
公開番号（公開出願番号）：特開平7-045910
出願日： 1993年07月30日
公開日（公表日）： 1995年02月14日
要約：
【要約】【目的】半導体レーザーのpn接合が露出している端面に反射率の高い多層ミラーを作製するにあたり、反射膜の光学的特性を最適に保ちながら、同時にpn接合での電流リークを無くし、電気的特性の劣化を抑えることを目的とする。【構成】本発明は、p型とn型の半導体層を有し、隣接するp型とn型の半導体2,4の界面を横切って端面9,10に形成された多層反射膜により、素子内部に特定の波長λの光を閉じ込める半導体レーザーにおいて、多層反射膜7,8と半導体の端面の間に、光学的な厚さがレーザーの発振波長λの1/2の整数倍である透明な絶縁膜6を形成する。【効果】電気的な絶縁性はレーザーの端面に形成された透明な絶縁膜で確保され、反射率はその絶縁膜の上に形成された多層反射膜で制御されるので、電気的な特性と光学的な特性が独立に最適化でき、半導体レーザーの高性能化とばらつきの低減を図れる。
請求項（抜粋）：
p型とn型の半導体層を有し、隣接するp型とn型の半導体の界面を横切って端面に形成された多層ミラー(多層反射膜)により、素子内部に特定の波長λの光を閉じ込める半導体レーザーにおいて、前記多層ミラーのうち半導体に接する層の光学的厚さがλ/2の整数倍であり、かつその層が透明で電気的な絶縁物からなることを特徴とする半導体レーザー。
IPC (2件)：
前のページに戻る
