特許

J-GLOBAL ID：200903085359296380

薄膜積層体、薄膜キャパシタ、およびその製造方法

発明者： 李 効民 ,  田中 克彦
出願人/特許権者： 株式会社村田製作所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-258901
公開番号（公開出願番号）：特開2001-085624
出願日： 1999年09月13日
公開日（公表日）： 2001年03月30日
要約：

【要約】【課題】 シリコン基板上に結晶性の良好な強誘電体薄膜を形成するためのシード層として機能するエピタキシャル導体薄膜(下部電極)およびその製造方法を提供する。【解決手段】 シリコン基板と、シリコン基板上にエピタキシャル形成されたバッファ層と、バッファ層上にエピタキシャル形成された導体薄膜とを有してなる薄膜積層体において、導体薄膜に面心立方構造を有する白金族元素を使用する。

請求項（抜粋）：

シリコン基板と、シリコン基板上にエピタキシャル形成されたバッファ層と、バッファ層上にエピタキシャル形成された導体薄膜とを有してなる薄膜積層体であって、前記導体薄膜は、面心立方構造を有する白金族元素からなることを特徴とする薄膜積層体。

IPC (12件)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  C30B 29/02 ,  H01G 4/33 ,  H01G 4/12 394 ,  H01G 4/12 400 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/285 301 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 37/02

FI (10件)：

H01L 27/04 C ,  C30B 29/02 ,  H01G 4/12 394 ,  H01G 4/12 400 ,  H01L 21/285 P ,  H01L 21/285 301 Z ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 37/02 ,  H01G 4/06 102 ,  H01L 27/10 651

Fターム (51件)：

4G077AA03 ,  4G077BA01 ,  4G077DA01 ,  4G077EF02 ,  4M104AA01 ,  4M104BB04 ,  4M104BB37 ,  4M104DD28 ,  4M104DD34 ,  4M104FF31 ,  4M104GG16 ,  5E001AB06 ,  5E001AC01 ,  5E001AC10 ,  5E001AE01 ,  5E001AE02 ,  5E001AE03 ,  5E001AH03 ,  5E001AJ01 ,  5E001AJ02 ,  5E082AB01 ,  5E082EE05 ,  5E082EE11 ,  5E082EE23 ,  5E082EE37 ,  5E082EE50 ,  5E082FF05 ,  5E082FG03 ,  5E082FG26 ,  5E082FG42 ,  5E082MM09 ,  5E082PP03 ,  5E082PP04 ,  5E082PP09 ,  5E082PP10 ,  5F038AC05 ,  5F038AC15 ,  5F038AC18 ,  5F038DF05 ,  5F038EZ14 ,  5F038EZ20 ,  5F083AD00 ,  5F083FR02 ,  5F083JA13 ,  5F083JA14 ,  5F083JA15 ,  5F083JA38 ,  5F083JA40 ,  5F083PR05 ,  5F083PR22 ,  5F083PR25

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 誘電体キャパシタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-311152   出願人：株式会社東芝
• 半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-243595   出願人：株式会社東芝
• 強誘電性キャパシタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-061416   出願人：三星電子株式会社
• 半導体記憶装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-253289   出願人：株式会社東芝