表面改質されたエポキシ成形材料用シリカ、その製造方法、装置、及び半導体パッケージ用エポキシ成形材料

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：瀬谷徹 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-115977
公開番号（公開出願番号）：特開2002-274834
出願日： 2001年04月13日
公開日（公表日）： 2002年09月25日
要約：

【要約】【課題】エポキシ成形材料の主成分であるシリカとエポキシ樹脂との接着力を向上すべく、シリカをプラズマ重合コーティング方法により表面改質されたシリカを提供し、さらに表面改質されたシリカを利用して各種物性が著しく改善され、かつ製造工程に環境汚染の懸念がない半導体パッケージ用エポキシ成形材料を提供する。【解決手段】アミン系化合物、1,2-エポキシ-5-ヘキセン、アリルメルカプタン及びアリルアルコールから選ばれた一種以上を、プラズマ重合法によりシリカの表面にコーティングすることからなり、平均粒径が25〜35μmであるシリカを、プラズマ重合反応器に装入させた後、真空ポンプで反応器内の空気圧力を低下させ、ここに、アミン系化合物、1,2-エポキシ-5-ヘキセン、アリルメルカプタン及びアリルアルコールの中から選ばれた一種以上を流入させ、プラズマ重合させる。

請求項（抜粋）：

半導体パッケージに使用されるエポキシ成形材料用シリカにおいて、シリカの表面がアミン系化合物、1,2-エポキシ-5-ヘキセン、アリルメルカプタン及びアリルアルコールから選ばれた一種以上を、プラズマ重合法によりコーティングされていることを特徴とする表面改質されたエポキシ成形材料用シリカ。

IPC (9件)：

C01B 33/12 , C08K 9/04 , C08L 63/00 , C09C 1/28 , C09C 3/08 , C23C 16/30 , C23C 16/507 , H01L 23/29 , H01L 23/31

FI (8件)：

C01B 33/12 Z , C08K 9/04 , C08L 63/00 C , C09C 1/28 , C09C 3/08 , C23C 16/30 , C23C 16/507 , H01L 23/30 R

Fターム (47件)：

4G072AA25 , 4G072BB09 , 4G072BB20 , 4G072GG03 , 4G072GG04 , 4G072HH13 , 4G072JJ42 , 4G072JJ47 , 4G072QQ06 , 4G072RR25 , 4G072UU01 , 4G072UU09 , 4J002CD001 , 4J002DJ016 , 4J002FB266 , 4J037AA18 , 4J037CB04 , 4J037CB13 , 4J037CB16 , 4J037CB19 , 4J037CB21 , 4J037DD05 , 4J037EE03 , 4J037EE08 , 4J037EE12 , 4J037EE24 , 4J037EE44 , 4J037EE47 , 4J037EE48 , 4J037FF15 , 4J037FF22 , 4J037FF29 , 4K030AA09 , 4K030BA61 , 4K030CA05 , 4K030CA18 , 4K030FA04 , 4K030GA09 , 4K030JA09 , 4K030JA11 , 4K030JA16 , 4K030KA09 , 4K030KA41 , 4K030LA15 , 4M109AA01 , 4M109EA02 , 4M109EB13

引用特許：

審査官引用 (1件)

シリカフィラーの製造方法ならびにフィラー用組成物およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-200010 出願人：東芝セラミックス株式会社

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