特許

J-GLOBAL ID：200903085366348175

薄膜積層体および薄膜積層体の作製方法

発明者： 秋山 善一
出願人/特許権者： 株式会社リコー
代理人 (1件)： 友松 英爾 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-350508
公開番号（公開出願番号）：特開平7-201226
出願日： 1993年12月28日
公開日（公表日）： 1995年08月04日
要約：

【要約】【目的】 本発明の目的は、通常の薄膜作製技術を用い、基板上にセラミック薄膜を形成し、電気伝導層、セラミック層の積層体を形成し、バルク体の特性値を薄膜形態で実現させるとともに、各種機能性薄膜、およびこれを用いた素子とのハイブリッドを成させ、短小軽薄を実現するものである。【構成】 第1の電気伝導層の上に、セラミック層と電気伝導層の積層構造を1単位として複数単位が積層されていることを特徴とする積層体に於いて、その積層体が基板上に形成され、かつ各層が薄膜からなることを特徴とする基板付き薄膜積層体。

請求項（抜粋）：

第1の電気伝導層の上に、セラミック層と電気伝導層の積層構造を1単位として複数単位が積層されていることを特徴とする積層体に於いて、その積層体が基板上に形成され、かつ各層が薄膜からなることを特徴とする基板付き薄膜積層体。

IPC (6件)：

H01B 5/14 ,  H01G 4/33 ,  H01L 21/205 ,  H01L 41/083 ,  H01L 41/22 ,  H05K 3/46

FI (3件)：

H01G 4/06 102 ,  H01L 41/08 S ,  H01L 41/22 Z

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平1-179407
  
• 特開平3-128681
  
• 特開平4-298915