特許

J-GLOBAL ID：200903085368872750

半導体装置

発明者： 小林 弘典 ,  奥田 悟志
出願人/特許権者： 日東電工株式会社
代理人 (1件)： 西藤 征彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-003391
公開番号（公開出願番号）：特開平8-188640
出願日： 1995年01月12日
公開日（公表日）： 1996年07月23日
要約：

【要約】【目的】エポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子を封止してなる半導体装置において、封止樹脂の低応力化による耐湿性、耐熱衝撃性および高温放置性に優れた半導体装置を提供する。【構成】下記の(A)〜(D)成分を含有するエポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子を封止してなる半導体装置。(A)エポキシ樹脂。(B)ノボラック型フェノール樹脂。(C)下記の(a)〜(c)成分を溶融混合させることにより得られる変性樹脂。(a)エポキシ樹脂およびノボラック型フェノール樹脂の少なくとも一方。(b)粒径0.01〜5μmのメチルメタクリレート-ブタジエン-スチレン共重合樹脂。(c)シリコーンオイル。(D)無機質充填剤。

請求項（抜粋）：

下記の(A)〜(D)成分を含有するエポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子を封止してなる半導体装置。(A)エポキシ樹脂。(B)ノボラック型フェノール樹脂。(C)下記の(a)〜(c)成分を溶融混合させることにより得られる変性樹脂。(a)エポキシ樹脂およびノボラック型フェノール樹脂の少なくとも一方。(b)粒径0.01〜5μmのメチルメタクリレート-ブタジエン-スチレン共重合樹脂。(c)シリコーンオイル。(D)無機質充填剤。

IPC (5件)：

C08G 59/62 NJS ,  C08L 63/00 NJW ,  H01L 23/29 ,  H01L 23/31 ,  C08G 59/14 NHB

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭63-186724
  
• 特開昭63-099221
  
• 特開昭62-207319