特許

J-GLOBAL ID：200903085369673743

バンプ電極形成用球状体の転写方法及び半導体装置の製造方法、並びに転写マスク

発明者： 小日向 健一
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 逢坂 宏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-141050
公開番号（公開出願番号）：特開2000-332044
出願日： 1999年05月21日
公開日（公表日）： 2000年11月30日
要約：

【要約】【課題】 多数個の金属ボール等のバンプ電極形成用球状体を1つ1つ的確に且つ効率よく転写でき、生産性も良い方法又は半導体装置の製造方法を提供すること。さらにその際に用いる転写用マスクを提供すること。【解決手段】 Siウエハ5上に形成したUBM膜7にフラックス8を載せ、ここに金属ボール11を転写し、リフローしてバンプ13を形成する工程において、金属ボール11の転写にガイドマスク(転写用マスク)10を用いる。このガイドマスク10は金属ボール11の1個分が落ち込める開口9を有し、その開口は奥行側の径Mが入口側のそれNよりも大きい。

請求項（抜粋）：

バンプ電極形成用の球状体を落とし込むための開口を有し、かつこの開口の入口側よりも奥行側の径が大きくなっているマスクを被転写体上に配置する工程と、前記マスク上に前記球状体を載せる工程と、前記マスクから前記開口ごとに前記球状体を落とし込む工程と、余分な球状体を前記マスク上から除去する工程とを具備する、バンプ電極形成用球状体の転写方法。

IPC (2件)：

H01L 21/60 ,  H05K 13/02

FI (3件)：

H01L 21/92 604 F ,  H05K 13/02 L ,  H01L 21/92 604 E

Fターム (8件)：

5E313AA01 ,  5E313AA11 ,  5E313AA31 ,  5E313AB02 ,  5E313DD10 ,  5E313DD21 ,  5E313EE13 ,  5E313EE16