特許
J-GLOBAL ID：200903085371425986
薄膜トランジスタの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-121719
公開番号（公開出願番号）：特開平8-316482
出願日： 1995年05月19日
公開日（公表日）： 1996年11月29日
要約：
【要約】【目的】 電気伝導性が良好なソース、ドレイン電極接合部をゲート電極に対してセルフアラインで形成することが可能な薄膜トランジスタの製造方法を提供しようとするものである。【構成】 ガラス基板上にゲート電極を形成する工程と、前記ゲート電極を含む前記ガラス基板上に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜上に非晶質半導体膜を形成する工程と、前記非晶質半導体膜上に不純物および所定の波長域を持つ光に対して吸収性を有する物質を含むスピンオングラス膜を形成する工程と、前記ガラス基板側から所定の波長域を持つレーザ光を照射して前記ゲート電極と対向する領域以外の部分の前記非晶質半導体膜を結晶化させると共に、前記スピンオングラス膜中の不純物を前記非晶質半導体膜に拡散させる工程とを具備したこと特徴とする。
請求項（抜粋）：
ガラス基板上にゲート電極を形成する工程と、前記ゲート電極を含む前記ガラス基板上に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜上に非晶質半導体膜を形成する工程と、前記非晶質半導体膜上に不純物および所定の波長域を持つ光に対して吸収性を有する物質を含むスピンオングラス膜を形成する工程と、前記ガラス基板側から所定の波長域を持つレーザ光を照射して前記ゲート電極と対向する領域以外の部分の前記非晶質半導体膜を結晶化させると共に、前記スピンオングラス膜中の不純物を前記非晶質半導体膜に拡散させる工程とを具備したことを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。
IPC (2件)：
H01L 29/786
, H01L 21/336
