特許

J-GLOBAL ID：200903085374100328

強誘電体結晶薄膜及び該強誘電体結晶薄膜を有する強誘電体薄膜素子及び該強誘電体結晶薄膜の製造方法

発明者： 松永 宏典 ,  木場 正義
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 川口 義雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-134359
公開番号（公開出願番号）：特開平8-002919
出願日： 1994年06月16日
公開日（公表日）： 1996年01月09日
要約：

【要約】【目的】 強誘電特性の信頼性を向上させたBi4 Ti3 O12強誘電体結晶薄膜及びこの薄膜を用いたデバイスの提供。【構成】 Bi4 Ti3 O12に、ストロンチウム又はバリウム元素を、好ましくはそれぞれ5〜10モル%の範囲で添加してなる強誘電体結晶薄膜を形成する。また、この強誘電体結晶薄膜を単結晶半導体基板上に形成し、こうして作成した基板を用いて強誘電体薄膜素子を形成する。

請求項（抜粋）：

ストロンチウム元素を添加してなるBi4 Ti3 O12強誘電体結晶薄膜。

IPC (14件)：

C01G 29/00 ,  C04B 35/46 ,  C23C 16/40 ,  C23C 18/12 ,  C30B 29/32 ,  H01B 3/00 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 27/108 ,  H01L 37/02 ,  H01L 41/08 ,  H01L 41/22 ,  C23C 24/10

FI (5件)：

C04B 35/46 G ,  H01L 27/04 C ,  H01L 27/10 325 J ,  H01L 41/08 Z ,  H01L 41/22 Z