特許

J-GLOBAL ID：200903085383189420

ダマシンによるメタリゼーション層を形成するためのリソグラフィックな方法

発明者： ワッガナー・エリック・ディ.
出願人/特許権者： ラム・リサーチ・コーポレーション
代理人 (1件)： 特許業務法人明成国際特許事務所
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-592868
公開番号（公開出願番号）：特表2003-518325
出願日： 2000年01月06日
公開日（公表日）： 2003年06月03日
要約：

【要約】【課題】【解決手段】 積層体内にメタリゼーション層を形成する改良された方法を開示する。本発明の1つの態様において、積層体に対してリソグラフィックなダマシンエッチングを実行し、金属配線を形成する方法が開示される。基板の上に配置された積層体は、1枚の下地層からなる。リソグラフィックなダマシンエッチングを実行する方法は、積層体の上にフォトレジスト層を堆積させる工程と、フォトレジスト層内にトレンチを形成することによって、トレンチを積層体の下地層上に位置決めする工程とを備える。この方法は、続いて、フォトレジスト層の上面上に金属層を堆積させて、トレンチを埋め込む工程と、金属層をフォトレジスト層の上面とほぼ同じ高さまで平坦化し、金属配線の上面を規定する工程と、金属配線の周りのギャップを残してフォトレジスト層を除去する工程とを備える。次いで、誘電材料を堆積させることによって、金属配線の周りのギャップを、金属配線の上面とほぼ同じ高さまで埋め込む。

請求項（抜粋）：

基板の上に配置された積層体に対してリソグラフィックなダマシンエッチングを実行する方法であって、前記積層体は1枚の下地層を備え、前記方法は、 前記積層体の上にフォトレジスト層を堆積させることと、 前記フォトレジスト層の残り領域を残して前記フォトレジスト層内にトレンチを形成し、前記トレンチを前記積層体の前記下地層上に位置決めすることと、 前記フォトレジスト層の上面上に金属層を堆積させ、前記トレンチを埋め込むことと、 金属配線の上面を規定するために、前記金属層を前記フォトレジスト層の前記上面とほぼ同じ高さに至るまで平坦化することと、 前記フォトレジスト層の前記残り領域を除去することによって、前記金属配線の周りにギャップを形成することと、 前記金属配線の周りの前記ギャップを、前記金属配線の前記上面とほぼ同じ高さまで満たすために誘電材料を堆積させることとを備える方法。

Fターム (28件)：

5F033HH07 ,  5F033HH08 ,  5F033HH11 ,  5F033HH18 ,  5F033HH21 ,  5F033HH32 ,  5F033JJ07 ,  5F033JJ08 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ18 ,  5F033JJ21 ,  5F033JJ32 ,  5F033MM01 ,  5F033MM02 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP15 ,  5F033PP16 ,  5F033PP27 ,  5F033QQ48 ,  5F033RR06 ,  5F033RR21 ,  5F033RR25 ,  5F033RR29 ,  5F033SS11 ,  5F033SS21