特許

J-GLOBAL ID：200903085389178528

白色マイクロシリカの製造方法

発明者： ドストール,マグネ ,  トヴエイト,ハルヴアルド ,  デイングソイル,エルダー,オー. ,  ロニング,ペアー ,  ホルサケアー,スヴエイン
出願人/特許権者： エルケム アクシエセルスカプ
代理人 (1件)： 八木田 茂 (外1名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-505758
公開番号（公開出願番号）：特表平9-501133
出願日： 1994年07月19日
公開日（公表日）： 1997年02月04日
要約：

【要約】本発明は、SIO2供給源と固体の炭素質還元剤とを含有する装填材料を用いてフェロシリコン又はシリコンを製造する溶錬炉中で65〜90%の光反射率を有するマイクロシリカを製造する方法であってマイクロシリカを溶錬炉から出る排ガスから回収するマイクロシリカの製造方法において、溶錬炉に供給した固体の還元剤は製造したマイクロシリカ1kg当り1.25kg以下の量の揮発性物質を含有し、装填材料より上方の溶錬炉内のガス雰囲気の温度を500°C以上に保持する、マイクロシリカの製造方法に関する。

請求項（抜粋）：

SiO2供給源と固体の炭素質還元剤とを含有してなる装填材料を用いてフェロシリコン又はシリコンを製造する溶錬炉中で65〜90%の光反射率を有するマイクロシリカを製造する方法であってマイクロシリカを溶錬炉から出る排ガスから回収するマイクロシリカの製造方法において、溶錬炉に供給した固体の還元剤は製造したマイクロシリカの1kg当り1.25kg以下の量の揮発性物質を含有し、装填材料より上方にある溶錬炉内のガス雰囲気の温度を500°C以上に保持することを特徴とするマイクロシリカの製造方法。

IPC (3件)：

C01B 33/18 ,  C04B 18/14 ,  C01B 33/025

FI (3件)：

C01B 33/18 ,  C04B 18/14 Z ,  C01B 33/025