特許

J-GLOBAL ID：200903085390107707

半導体集積回路

発明者： 三ケ木 郁
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 内原 晋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-164825
公開番号（公開出願番号）：特開平5-013413
出願日： 1991年07月05日
公開日（公表日）： 1993年01月22日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】従来のバリアメタルであるTi-W合金膜や窒化チタン膜は、低反応性・低電気抵抗の両特性を同時には満足しない。そのため高性能・高信頼性の半導体集積回路装置を得る事が困難である。【構成】Ti膜上107とTiB2 膜108と下地膜としてのPt膜110Aと金メッキ膜112とから配線を構成する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成された拡散層と、この拡散層上に形成された金属ケイ化物膜または順次形成された多結晶シリコン膜と金属ケイ化物膜と、この金属ケイ化物膜上に順次形成されたチタン膜とホウ化チタン膜と下地膜と金膜とからなる配線とを含むことを特徴とする半導体集積回路。

IPC (3件)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/28