特許

J-GLOBAL ID：200903085393296322

半導体装置の製造方法

発明者： 今井 彰 ,  長谷川 昇雄
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 秋田 収喜
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-291430
公開番号（公開出願番号）：特開2002-100557
出願日： 2000年09月26日
公開日（公表日）： 2002年04月05日
要約：

【要約】【課題】 多重露光されたパターンへの位置合わせ精度を向上させる。【解決手段】 マスクに形成されたマスクパターンを投影して対象物に転写し、該対象物にパターンを形成する半導体装置の製造方法において、前記マスクがマスクパターンの異なる複数のマスクからなっており、夫々のマスクに形成されたマークを合成して複数のマークからなるマークパターンを前記対象物に形成する。また、前記マスクが多重露出のための複数のマスクからなり、前記複数のマスクの夫々に少なくとも1つのマークを形成し、夫々のマスクのマークからなるマークパターンを半導体基板に形成し、このマークパターンを用いて以降の工程のマスクの位置合わせを行ない、該マスクに形成されたマスクパターンを半導体基板に転写してパターンを形成する。これによって、多重露光に用いるマスクの夫々について位置合わせを行なうことが可能となる。

請求項（抜粋）：

マスクに形成されたマスクパターンを投影して対象物に転写し、該対象物にパターンを形成する半導体装置の製造方法において、前記マスクがマスクパターンの異なる複数のマスクからなっており、夫々のマスクに形成されたマークを合成して複数のマークからなるマークパターンを前記対象物に形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/027 ,  G03F 1/08 ,  G03F 9/00

FI (5件)：

G03F 1/08 A ,  G03F 9/00 H ,  H01L 21/30 502 M ,  H01L 21/30 514 A ,  H01L 21/30 520 A

Fターム (8件)：

2H095BB03 ,  5F046AA13 ,  5F046AA25 ,  5F046CB17 ,  5F046EA10 ,  5F046EB01 ,  5F046EB02 ,  5F046FC06