特許

J-GLOBAL ID：200903085396919355

結晶基材の製造方法

発明者： 市川 武史
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 山下 穣平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-187350
公開番号（公開出願番号）：特開平6-005528
出願日： 1992年06月23日
公開日（公表日）： 1994年01月14日
要約：

【要約】【目的】 電気的に絶縁分離され、表面が平坦な、大粒径な結晶粒径を持つ多結晶薄膜を、熱ストレスを抑制しつつ、かつ容易に形成する。【構成】 一または二以上の凹部を有し、上面が成長させる結晶を選択的に除去する時にストッパーとなる基体111を形成する工程と、該基体111に結晶を成長させる工程と、前記凹部上を除いて成長した結晶を除去する工程と、前記凹部上の結晶に融点以下の熱処理を行ない、該結晶の膜厚と同等以上の結晶粒径を持つ多結晶113を粒成長により形成する工程と、前記基体111の上面を越えて形成された多結晶を前記基体111の上面をストッパーとして除去する工程と、を有する。

請求項（抜粋）：

一または二以上の凹部を有し、上面が成長させる結晶を選択的に除去する時にストッパーとなる基体を形成する工程と、該基体に結晶を成長させる工程と、前記凹部上を除いて成長した結晶を除去する工程と、前記凹部上の結晶に融点以下の熱処理を行ない、該結晶の膜厚と同等以上の結晶粒径を持つ多結晶を粒成長により形成する工程と、前記基体の上面を越えて形成された多結晶を前記基体の上面をストッパーとして除去する工程と、を有することを特徴とする結晶基材の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/205 ,  C30B 28/02 ,  H01L 21/302

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭59-121823
  
• 特開昭60-025222