特許
J-GLOBAL ID：200903085396960657
エツチング方法及び装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 敏明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-198085
公開番号（公開出願番号）：特開平5-047716
出願日： 1991年08月07日
公開日（公表日）： 1993年02月26日
要約：
【要約】【目的】 エッチング種を含む吸着層を、被エッチング層上に確実に形成し、被エッチング層の下地層にダメージを与えないエッチング方法及び装置を提供することがこの発明の目的である。【構成】 被エッチング層表面にイオンによる衝撃を与え、その後被エッチング層にエッチング種を含む吸着層を形成する。次に、エッチング種と被エッチング層中の物質との反応に必要な熱,電子又は電磁波エネルギーを吸着層及び被エッチング層に与える。最後に、被エッチング層中の物質とエッチング種との反応生成物を除去することによりエッチング工程を終了する。
請求項（抜粋）：
被エッチング層表面に、イオンによる衝撃を与える工程と、この衝撃を受けた被エッチング層表面に、活性な化学種を吸着させることにより、化学吸着層を形成する工程と、この化学吸着層中の化学種と前記被エッチング層中の物質との反応に必要な熱,電子又は電磁波エネルギーを与えることにより、前記化学種と前記物質とを反応させる工程と、この反応工程によって生成された生成物を除去する工程とを有することを特徴とするエッチング方法。
IPC (2件)：
引用特許：
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