特許
J-GLOBAL ID：200903085397166105
磁気的メモリ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
矢野 敏雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-327740
公開番号（公開出願番号）：特開2000-163950
出願日： 1999年11月18日
公開日（公表日）： 2000年06月16日
要約：
【要約】【課題】 順次連続する過程または方法に起因する情報の再書き込みによる時間損失が発生せず、メモリセルの固有インピーダンスが製造に起因して変動することにデータ処理が依存しないような磁気的メモリを提供する。【解決手段】 評価回路は比較回路を有し、該比較回路によって、基準素子から送出された基準信号が読み出すべきメモリセルのセンス信号と比較されるように構成する。
請求項（抜粋）：
任意アクセス可能な磁気的メモリ(NRAM)であって、メモリセルフィールド(11)と、ワード線路(3)に配属されたアドレシング回路と、センス線路(4)に配属された評価回路とを有し、前記メモリセルフィールドは、ワード線路(3)とセンス線路(4)との交点にマトリクス状に配置された多数のメモリセル(1)からなり、前記メモリセルの論理的データ内容は磁気的状態によって定められ前記アドレシング回路によって、データ内容を読み出すべき選択された1つまたは複数のメモリセル(1)のワード線路(3)には読み出し電圧(V)が印加され、前記評価回路によって、選択されたメモリセルのデータ内容に相応する信号が検出され、評価される形式の磁気的メモリにおいて、前記評価回路は比較回路(16)を有し、該比較回路によって、基準素子から送出された基準信号(Vr)が読み出すべきメモリセルのセンス信号(Vs)と比較される、ことを特徴とする磁気的メモリ。
IPC (3件)：
G11C 11/15
, G11C 11/14
, H01L 43/08
G11C 11/15
, G11C 11/14 Z
, H01L 43/08 Z
