特許
J-GLOBAL ID：200903085397845649
ハーフトーン位相シフトフォトマスクの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
韮澤 弘 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-064549
公開番号（公開出願番号）：特開平6-051489
出願日： 1992年03月23日
公開日（公表日）： 1994年02月25日
要約：
【要約】【目的】 位相シフター形成においてそのエッジ形状を垂直にして高精度のハーフトーン位相シフトフォトマスクを製造する。【構成】 ハーフトーン遮光膜層14をエッチングした後、そのエッチングに用いたレジストを除去し、その後、エッチング耐性を有するフォトレジスト層20をハーフトーン遮光膜14上に形成し、次いで、透明基板11面側からパターンニングされたハーフトーン遮光膜14を介して光21を照射してフォトレジスト層20をバック露光し、露光後のフォトレジスト層20を現像して別のレジストパターンを形成し、この別のレジストパターンとハーフトーン遮光膜をマスクとして露出した位相シフター層13をエッチングしてハーフトーン位相シフトフォトマスクを製造する。
請求項（抜粋）：
透明基板上に位相シフター層とハーフトーン遮光膜層を形成し、遮光膜層上にレジストパターンを形成し、このレジストパターンをマスクとして露出したハーフトーン遮光膜層をエッチングし、続いて、位相シフター層をエッチングするハーフトーン位相シフトフォトマスクの製造方法において、ハーフトーン遮光膜層をエッチングした後、マスクとして用いたレジストを除去し、その後、エッチング耐性を有するフォトレジスト層をハーフトーン遮光膜上に形成し、次いで、透明基板面側からパターンニングされたハーフトーン遮光膜を介して光を照射してフォトレジスト層をバック露光し、露光後のフォトレジスト層を現像して別のレジストパターンを形成し、別のレジストパターンとハーフトーン遮光膜をマスクとして露出した位相シフター層をエッチングすることを特徴とするハーフトーン位相シフトフォトマスクの製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/30 301 P
, H01L 21/30 311 W
