特許
J-GLOBAL ID:200903085400018147

結晶成長方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 萩原 亮一 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-354099
公開番号(公開出願番号):特開2000-178094
出願日: 1998年12月14日
公開日(公表日): 2000年06月27日
要約:
【要約】【課題】 気化しにくく、比較的低温で分解する物質についても、結晶の融点や沸点よりもはるかに低温で、良質で大きな結晶を成長できる方法を提供しようとするものである。【解決手段】 室温で固体の溶融溶媒とともに結晶原料を成長容器に充填し、これを加熱して前記溶融溶媒により前記結晶原料を溶解して溶液を調整した後、前記溶液の結晶成分を過飽和にして前記結晶を成長させることを特徴とする結晶成長方法である。
請求項(抜粋):
室温において固体で目的結晶より融点が低い溶融溶媒を用い、結晶原料とともに成長容器に充填し、これを加熱して溶融した前記溶融溶媒で前記結晶原料を溶解して溶液を調整した後、前記溶液の目的結晶成分を過飽和にして前記目的結晶を成長させることを特徴とする結晶成長方法。
IPC (3件):
C30B 9/00 ,  C09B 67/48 ,  C09B 67/50
FI (3件):
C30B 9/00 ,  C09B 67/48 Z ,  C09B 67/50 Z
Fターム (6件):
4G077AA02 ,  4G077BF10 ,  4G077CC01 ,  4G077CC05 ,  4G077EG01 ,  4G077EH07
引用特許:
審査官引用 (1件)

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