特許
J-GLOBAL ID:200903085402822911

膜の面積抵抗測定

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 長谷川 芳樹 (外3名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平7-259108
公開番号(公開出願番号):特開平8-226943
出願日: 1995年10月05日
公開日(公表日): 1996年09月03日
要約:
【要約】 (修正有)【課題】 有利に、従来の手動的な測定システムに由来する測定エラーおよび基板損傷の危険性を避けること【解決手段】 基板24を半導体処理装置14の真空環境内に維持している間、半導体基板24上の電気導電膜の面抵抗を測定する。発明の一の態様において、導電膜は真空チャンバ内の基板24上に堆積され、抵抗プローブ36は同一のチャンバ内に配置されている。プローブ36は、膜の堆積中は通路から引っ込んでおり、それから、堆積が停止あるいは完了した後、基板24へと移動し当該膜の抵抗を測定する。
請求項(抜粋):
堆積された膜の面抵抗をモニターする装置において: 真空チャンバと;前記真空チャンバ内に配置された基板サポートと;前記真空チャンバ内に配置され、当該基板が前記基板サポート上に配置されるとき、基板上に堆積された膜の面抵抗を測定する為に位置決め可能な面抵抗測定部材と、を備える装置。
IPC (2件):
G01R 27/02 ,  H01L 21/66
FI (2件):
G01R 27/02 R ,  H01L 21/66 P

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