OLEDデバイスの製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：青木篤 , 石田敬 , 古賀哲次 , 出野知 , 西山雅也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-133253
公開番号（公開出願番号）：特開2004-335468
出願日： 2004年04月28日
公開日（公表日）： 2004年11月25日
要約：

【課題】上面発光型OLEDデバイスの発光効率を高めること。【解決手段】 OLEDデバイスの上部電極を通して光を放出することができるOLEDデバイスの製造方法であって、(a)基板を用意して該基板の上にアノードを設け、(b)該アノードの上に発光層を配置し、(c)該発光層の上に第1層及び第2層を設けるに際し、該第1層は、該発光層と接触すると共に、電子注入性元素を含む化合物を有し、該第2層は、該第1層と接触すると共に、反応性金属を有し、さらに該反応性金属が該化合物と反応することにより該電子注入性元素が放出されてこれが該発光層の界面領域をドープすることにより電子注入性が向上すると共に該第1層及び該第2層の反射率が低下し、そして(d)該第2層の上に透明な導電性の非金属系上部電極を設けることを特徴とするOLEDデバイスの製造方法。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

OLEDデバイスの上部電極を通して光を放出することができるOLEDデバイスの製造方法であって、 (a)基板を用意して該基板の上にアノードを設け、 (b)該アノードの上に発光層を配置し、 (c)該発光層の上に第1層及び第2層を設けるに際し、該第1層は、該発光層と接触すると共に、電子注入性元素を含む化合物を有し、該第2層は、該第1層と接触すると共に、反応性金属を有し、さらに該反応性金属が該化合物と反応することにより該電子注入性元素が放出されてこれが該発光層の界面領域をドープすることにより電子注入性が向上すると共に該第1層及び該第2層の反射率が低下し、そして (d)該第2層の上に透明な導電性の非金属系上部電極を設けることを特徴とするOLEDデバイスの製造方法。

IPC (4件)：

H05B33/10 , H05B33/14 , H05B33/22 , H05B33/28

FI (4件)：

H05B33/10 , H05B33/14 A , H05B33/22 A , H05B33/28

Fターム (7件)：

3K007AB03 , 3K007AB11 , 3K007AB17 , 3K007CB01 , 3K007DB03 , 3K007FA00 , 3K007FA01

引用特許：

出願人引用 (2件)

米国特許第6420031号明細書
米国特許第5550066号明細書

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