特許
J-GLOBAL ID：200903085407760558
半導体レーザ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-138315
公開番号（公開出願番号）：特開平8-335743
出願日： 1995年06月05日
公開日（公表日）： 1996年12月17日
要約：
【要約】【目的】 構造設計に自由度があり、安定した単一基本横モードの素子を歩留り良く得られ、格子不整合による転移等の欠陥や残留歪みの発生が無く、低閾値電流で青色〜青緑色のレーザ発振が得られ、長寿命で高い信頼性を有するようにする。【構成】 第1導電型InP基板1上に、第1導電型ZnCdMgSe第1クラッド層2、ZnCdMgSe活性層3及び第2導電型ZnCdMgSe第2クラッド層4が積層される。第2クラッド層2上にはストライプ状溝部を有する第1導電型電流阻止層5が形成され、溝部及び電流阻止層5上には第2導電型ZnCdMgSe第3クラッド層6が積層される。電流阻止層5は、活性層3と同じか又は小さいエネルギーギャップを有するZnCdMgSeからなり、ロスガイド構造のチャネル埋込型半導体レーザとなっている。
請求項（抜粋）：
第1導電型のInP基板上に、第1導電型の(Zn1-xCdx)1-yMgySe(0≦x≦1、0≦y≦1)第1クラッド層、(Zn1-sCds)1-tMgtSe(0≦s≦1、0≦t≦1)活性層、および第2導電型の(Zn1-xCdx)1-yMgySe(0≦x≦1、0≦y≦1)第2クラッド層が順次積層され、該第2クラッド層上にはストライプ状の溝部を有する第1導電型の電流阻止層が形成され、該溝部および電流阻止層上には少なくとも第2導電型の(Zn1-pCdp)1-qMgqSe(0≦p≦1、0≦q≦1)第3クラッド層が積層され、該電流阻止層が活性層と同じかまたは活性層より小さいエネルギーギャップを有する(Zn1-aCda)1-bMgbSe(0≦a≦1、0≦b≦1)またはZn1-cCdcS1-dSed(0≦c≦1、0≦d≦1)からなる半導体レーザ。
IPC (2件)：
FI (2件)：
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