特許
J-GLOBAL ID：200903085412833695
SOI基板における単結晶薄膜の膜厚測定方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山下 亮一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-137718
公開番号（公開出願番号）：特開平5-308096
出願日： 1992年04月28日
公開日（公表日）： 1993年11月19日
要約：
【要約】【目的】 厚さ1〜200μmの単結晶薄膜の膜厚を非破壊で高精度に測定し得るSOI基板における単結晶薄膜の膜厚測定方法を提供すること。【構成】 本発明方法は、フーリエ変換赤外分光光度計(FTIR)を用いる方法であって、マイケルソン干渉計を構成する固定鏡と移動鏡との光路差を連続的に変えて得られる干渉光をSOI基板11上に照射して光路差-反射赤外光強度曲線を得、この曲線における複数のサイドバースト(ピーク集合部分)の各々に存在する極小ピークの中から光路差の絶対値の最も小さいものを選出し、その極小ピークの光路差からSOI膜(単結晶薄膜)12の膜厚を求めるものである。
請求項（抜粋）：
誘導体基板上に単結晶薄膜を接合して成るSOI基板における前記単結晶薄膜の膜厚をフーリエ変換赤外分光光度計を用いて測定する方法であって、マイケルソン干渉計を構成する固定鏡と移動鏡との光路差を連続的に変えて得られる干渉光をSOI基板上に照射して光路差-反射赤外光強度曲線を得、この曲線における複数のサイドバーストの各々に存在する極小ピークの中から光路差の絶対値が最も小さいものを選出し、その極小ピークの光路差から単結晶薄膜の膜厚を求めることを特徴とするSOI基板における単結晶薄膜の膜厚測定方法。
IPC (2件)：
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