特許
J-GLOBAL ID：200903085413200645
化合物半導体装置およびその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-239358
公開番号（公開出願番号）：特開平5-082559
出願日： 1991年09月19日
公開日（公表日）： 1993年04月02日
要約：
【要約】【目的】本発明は、InAlAs層に対して耐熱性に優れたショットキー接合部が形成された化合物半導体装置を得ることを目的とする。【構成】InP基板1に、i型InPバッファ層2、i型InGaAsチャネル層3、i型InAlAsスペーサ層4、n型InAlAs電子供給層、i型InAlAsショットキー・コンタクト層6が積層形成され、ショットキー・コンタクト層6にショットキー・ゲート電極9が形成されたHEMTであって、ショットキー・ゲート電極9が、Ti層911と、この上に拡散障壁層としてのTi1-xWx 層912を介して積層されたAu層913とにより構成されている。
請求項（抜粋）：
In1-y Aly As層にショットキー電極が形成されたショットキー接合を有する化合物半導体装置おいて、前記ショットキー電極が、前記In1-y Aly As層にコンタクトするTi層と、この上に拡散障壁層を介して重ねられた低抵抗金属層とから構成されていることを特徴とする化合物半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 21/338
, H01L 29/812
, H01L 29/48
