特許

J-GLOBAL ID：200903085415258390

半導体集積装置

発明者： 押川 一志
出願人/特許権者： 富士電機株式会社
代理人 (1件)： 篠部 正治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-295709
公開番号（公開出願番号）：特開2000-124263
出願日： 1998年10月16日
公開日（公表日）： 2000年04月28日
要約：

【要約】【課題】突起電極とガラス基板上に形成された透明電極とを、安定に、確実に、電気的に導通させること。【解決手段】半導体チップ8上にAl電極1を形成し、Al電極1の表面に形成される表面保護膜2を複数箇所、選択的に除去し、Al電極1の表面を露出し、凹状態7aとする。この凹状態7aとなった表面に、バリアメタル3を被覆し、このバリアメタル3上に、突起電極4であるAuバンプを形成し、表面に複数個の凹状の溝を形成する。この凹部7の大きさは、絶縁被膜付き導電粒子入りフィルム(ACF6)の絶縁被膜付き導電粒子5aが1個ないし複数個入るように、下地の凹状態7aの大きさを調整し、ガラス基板13に形成された透明電極14と突起電極4間にACF6を挟み、熱加圧することで、ACF6の絶縁被覆付き導電粒子5aの絶縁被膜5bを破り、導電粒子5とし、この導電粒子5を介して、透明電極14と突起電極4とを導通させる。

請求項（抜粋）：

半導体チップ上に形成された突起電極と、該突起電極と配線電極とが、絶縁膜で被覆された導電粒子が混入されているフィルム(ACF:Anisotropic Conductive Film:通称、絶縁被膜付き導電粒子入りフィルムのこと)の導電粒子を介して電気的に接続される半導体集積装置において、前記導電粒子を保持する凹部を、前記突起電極の表面に、複数個形成することを特徴とする半導体集積装置。

IPC (3件)：

H01L 21/60 311 ,  H01L 21/60 ,  G02F 1/1345

FI (3件)：

H01L 21/60 311 S ,  G02F 1/1345 ,  H01L 21/92 602 G

Fターム (9件)：

2H092GA46 ,  2H092GA60 ,  2H092MA32 ,  2H092MA57 ,  2H092NA11 ,  2H092NA25 ,  2H092PA01 ,  5F044LL09 ,  5F044QQ02