特許

J-GLOBAL ID：200903085415397160

太陽電池素子の製造方法

発明者： 猪股 洋介 ,  福井 健次 ,  高山 道寛 ,  白沢 勝彦
出願人/特許権者： 京セラ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-041617
公開番号（公開出願番号）：特開平9-102625
出願日： 1996年02月28日
公開日（公表日）： 1997年04月15日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 製造工程の煩雑化と長時間化を解消すると共に、半導体ウェハの全面を均一にエッチングできるようにする。【解決手段】 半導体基板1をドライエッチング装置内に搬入して、この半導体基板の表面側に微小な凹凸部1bを形成した後に、この半導体基板の表面側にPN接合部を形成して半導体基板の表面側と裏面側に電極5,6を形成する太陽電池素子の製造方法であって、上記ドライエッチング装置内に半導体基板を搬入した後に、このドライエッチング装置内にマスク形成用ガスとエッチングガスを同時に導入して上記半導体基板に微小な凹凸部を形成する。また、それと同時に、あるいはその後に連続して形状平坦化用ガスを導入することにより、凹凸部の形状を効率的に最適化する。

請求項（抜粋）：

半導体基板をドライエッチング装置内に搬入して、この半導体基板の表面側に微小な凹凸部を形成した後に、この半導体基板の表面側にPN接合部を形成して半導体基板の表面側と裏面側に電極を形成する太陽電池素子の製造方法において、前記ドライエッチング装置内に半導体基板を搬入した後に、このドライエッチング装置内にマスク形成用ガスとエッチングガスを同時に導入して前記半導体基板に前記微小な凹凸部を形成することを特徴とする太陽電池素子の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 31/04 ,  H01L 21/3065

FI (2件)：

H01L 31/04 A ,  H01L 21/302 F