特許
J-GLOBAL ID：200903085415555629
ドライエッチング装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
則近 憲佑
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-140244
公開番号（公開出願番号）：特開平5-335281
出願日： 1992年06月01日
公開日（公表日）： 1993年12月17日
要約：
【要約】【構成】 エッチングチャンバと、このエッチングチャンバ内にほぼ平行に対向配置され一方にガス導入部およびこのガス導入部に連通し被エッチング部材に向かって複数のガス流路が形成された平板電極と、上記エッチングチャンバに接続され上記平板電極間にエッチングガスを導く導入管と、この導入管の外周部近傍に設けられるマイクロ波放電部と、上記導入管およびガス導入部に所定のエッチングガスを供給するガス供給部とを備えたことを特徴とするドライエッチング装置。【効果】 以上のように反応性イオンエッチングのイオンの電圧(Vdc)による加速とマイクロ波プラズマエッチングに活性種との相乗作用で大面積の被エッチング材に対して効率良くしかも均一にエッチングできるようになった。
請求項（抜粋）：
エッチングチャンバと、このエッチングチャンバ内にほぼ平行に対向配置され一方の電極にガス導入部およびこのガス導入部に連通し被エッチング材の被エッチング面に向かって複数のガス流路が形成された一対の平板電極と、上記エッチングチャンバに接続され上記平板電極間にエッチングガスを供給する供給管と、この供給管の中途部に設けられるマイクロ波放電部と、上記供給管およびガス導入部に所定のエッチングガスを供給するガス供給部とを備えたことを特徴とするドライエッチング装置。
IPC (2件)：
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