特許

J-GLOBAL ID：200903085417934228

半導体基板及びその製造方法

発明者： 末岡 浩治
出願人/特許権者： 住友金属工業株式会社
代理人 (1件)： 井内 龍二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-068192
公開番号（公開出願番号）：特開平5-275298
出願日： 1992年03月26日
公開日（公表日）： 1993年10月22日
要約：

【要約】【構成】 半導体基板の表面から50μmの領域に、2.2〜4.4×1019個/cm3 の格子間Si原子が注入されている半導体基板。【効果】 半導体基板の表面から50μmの領域においては、酸素の析出が抑制され、後の熱処理により容易にDZ層を形成することができる。

請求項（抜粋）：

酸素を含む半導体基板において、該半導体基板の表面から50μmの領域に2.2〜4.4×1019個/cm3 の格子間Si原子が注入されていることを特徴とする半導体基板。

IPC (2件)：

H01L 21/02 ,  H01L 21/322