特許

J-GLOBAL ID：200903085424023079

ドライエッチング方法及び装置

発明者： 岡本 昌也 ,  川合 勝博 ,  片山 幹雄 ,  梶谷 優
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 梅田 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-065829
公開番号（公開出願番号）：特開平9-129594
出願日： 1996年03月22日
公開日（公表日）： 1997年05月16日
要約：

【要約】【課題】 エッチングの均一性が高く、パターン寸法並びにバターン断面形状の制御性に優れたドライエッチング方法及び装置を提供する。【解決手段】 基板上に堆積された膜をエッチングするドライエッチング方法であって、第1電極に電力を印加することによって、反応ガスを含むガス中にプラズマを発生させる工程と、プラズマの発光分析、プラズマ中の物質の質量分析、プラズマの自己バイアス電圧の計測、プラズマのインピーダンスの計測の内の少なくとも1つの方法により、エッチング中のプラズマ状態を検出する工程と、検出されたプラズマ状態の変化に応じて、該プラズマの状態を調整する工程と、を包含する。

請求項（抜粋）：

基板上に堆積された膜をエッチングするドライエッチング方法であって、第1電極に電力を印加することによって、反応ガスを含むガス中にプラズマを発生させる工程と、プラズマの発光分析、プラズマ中の物質の質量分析、プラズマの自己バイアス電圧の計測、プラズマのインピーダンスの計測の内の少なくとも1つの方法により、エッチング中のプラズマ状態を検出する工程と、検出されたプラズマ状態の変化に応じて、該プラズマの状態を調整する工程と、を包含するドライエッチング方法。