特許

J-GLOBAL ID：200903085425320590

半導体メモリ

発明者： 大西 裕明
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 石川 泰男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-347034
公開番号（公開出願番号）：特開平5-183128
出願日： 1991年12月27日
公開日（公表日）： 1993年07月23日
要約：

【要約】【目的】 少ない素子数で面積が小さく、同時に低消費電力で動作マージンの大きいSRAMセルを有する半導体メモリを提供する。【構成】 高電位電源VDDと低電位電源GNDとの間に、定電流源Iと負性微分抵抗素子Dとが直列に接続され、この接続点Pにスイッチング素子Q7 を介して記憶信号の入出力端子IN/OUTが接続されており、その接続点Pの電圧をスイッチング素子Q7 を介して読み書き可能に構成される。

請求項（抜粋）：

高電位電源(VDD)と低電位電源(GND)との間に、定電流源(I)と負性微分抵抗素子(D)とが直列に接続され、この接続点(P)にスイッチング素子(Q7 )を介して記憶信号の入出力端子(IN/OUT)が接続されていることを特徴とする半導体メモリ。