特許
J-GLOBAL ID：200903085425690702
強誘電体メモリ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山田 義人 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-011355
公開番号（公開出願番号）：特開平11-213678
出願日： 1998年01月23日
公開日（公表日）： 1999年08月06日
要約：
【要約】【構成】 定電流源22は一定電流を発生する。PLドライバ16にはMOSトランジスタが設けられ、このトランジスタの導通量が一定電流によって規定される。PLコントロールパルスに応じて、電源電流がトランジスタを導通し、プレートラインを経てコンデンサC1およびC2に供給される。トランジスタの導通量が規定されることによって電源電流は所定値を超えないため、強誘電体コンデンサC1またはC2の分極状態を反転させるときでも、プレートラインパルスは急俊に立ち上がらない。つまり、プレートラインパルスはコンデンサC1またはC2の容量に相関する勾配で立ち上がる。【効果】 プレートラインに供給される電源電流は急激に変化することがないため、電源電圧の変動を防止することができる。
請求項（抜粋）：
プレートラインパルスを強誘電体コンデンサに印加する強誘電体メモリにおいて、前記プレートラインパルスの少なくとも立ち上がり部分に前記強誘電体コンデンサの容量に相関する勾配を付与する勾配付与手段を備えることを特徴とする、強誘電体メモリ。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G11C 11/34 352 A
, G11C 11/22
