特許
J-GLOBAL ID:200903085427000835
プラズマディスプレイパネルの製造方法
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
井桁 貞一
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平5-084416
公開番号(公開出願番号):特開平6-295675
出願日: 1993年04月12日
公開日(公表日): 1994年10月21日
要約:
【要約】 (修正有)【目的】 放電空間を複数の単位放電空間に分割する隔壁を有するプラズマディスプレイパネルの製造方法に関し、特に隔壁の形状をほぼ設計値どうりに形成できるプラズマディスプレイパネルの製造方法の提供を目的とする。【構成】 少なくとも片側の基板上に複数の単位放電領域に分割する隔壁を有するプラズマディスプレイパネルの製造方法において、隔壁11d の製造が、この隔壁11d を形成すべき基板上の領域に下部電極M-1 を形成する工程と、隔壁11d の高さに対応する膜厚を有するとともに、所定の単位放電領域に対応する部分に開口を設けたレジストパターン32を基板上に形成する工程と、レジストパターンが形成された基板をめっき液に浸漬し、このめっき液に含まれる金属を下部電極上に電着して上部電極M-2 を形成する工程と、下部電極と上部電極とを熱酸化してそれら電極の露出面に絶縁膜を形成し、この絶縁膜の施された電極を隔壁とする工程とを含ませて構成する。
請求項(抜粋):
少なくとも片側の基板上に複数の単位放電領域に分割する隔壁(11d) を有するプラズマディスプレイパネルの製造方法において、前記隔壁(11d) の製造が、前記隔壁(11d) を形成すべき前記基板上の領域に下部電極(M-1) を形成する工程と、前記隔壁(11d) の高さに対応する膜厚を有するとともに、所定の単位放電領域に対応する部分に開口(32a) を設けたレジストパターン(32)を前記基板上に形成する工程と、前記レジストパターン(32)が形成された前記基板をめっき液に浸漬し、このめっき液に含まれる金属を前記下部電極(M-1) 上に電着して上部電極(M-2) を形成する工程と、前記下部電極(M-1) と前記上部電極(M-2) とを熱酸化してそれら電極の露出面に絶縁膜を形成し、この絶縁膜の施された電極を隔壁とする工程とを含んでなることを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
IPC (3件):
H01J 9/24
, H01J 9/02
, H01J 11/02
前のページに戻る