特許
J-GLOBAL ID：200903085431847303
半導体基板の洗浄装置および洗浄方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
山本 亮一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-295256
公開番号（公開出願番号）：特開平9-050977
出願日： 1995年11月14日
公開日（公表日）： 1997年02月18日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 本発明は、半導体基板の洗浄において、従来の酸薬液あるいはアルカリ薬液を使用しないので、産業廃水処理が簡略化され、しかも洗浄工程を大幅に短縮できる半導体基板の洗浄装置とその方法の提供を課題とする。【解決手段】 方形の洗浄槽2の中心部に、被洗浄物としての半導体基板Wをほぼ垂直方向に保持して洗浄する洗浄装置1であり、洗浄槽2は、被洗浄物が配置されるアノード室3と、その両側に設けられる2組のカソード室4,4とで構成され、アノード室3とカソード室4,4は、中空の流路が形成された2組のH+イオン交換膜でなる隔壁5によって区画され、また、アノード室3の隔壁5の表面には、アノード電極板7が固着され、さらに前記カソード室4,4の隔壁5の表面には、隔壁5を介してアノード電極板7と対向する位置に、アノード電極板7とほぼ同一面積のカソード電極板8が固着された構成である。
請求項（抜粋）：
方形の洗浄槽の中心部に、被洗浄物としての半導体基板をほぼ垂直方向に保持して洗浄する洗浄装置であって、前記洗浄槽を、被洗浄物が配置されるアノード室と、その両側に設けられる2組のカソード室とで構成されるべく、中空の流路が形成された2組のH+ イオン交換膜にてなる隔壁によって区画し、前記アノード室における、前記被洗浄物と対面する両側のH+ イオン交換膜よりなる隔壁の表面にアノード電極板を固着させるとともに、前記カソード室における該隔壁の表面で、かつ該隔壁を介して前記アノード電極板と対向する位置には、該アノード電極板とほぼ同一面積のカソード電極板を固着させてなることを特徴とする半導体基板の洗浄装置。
IPC (6件)：
H01L 21/304 341
, H01L 21/304
, B01D 61/46 510
, B01J 19/10
, C30B 29/06
, H01L 21/308
H01L 21/304 341 L
, H01L 21/304 341 T
, B01D 61/46 510
, B01J 19/10
, C30B 29/06 B
, H01L 21/308 G
