特許

J-GLOBAL ID：200903085432699502

半導体薄膜及び薄膜トランジスタの製造方法、電気光学装置及び電子機器

発明者： 東 清一郎
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 上柳 雅誉 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-146440
公開番号（公開出願番号）：特開2003-100638
出願日： 2002年05月21日
公開日（公表日）： 2003年04月04日
要約：

【要約】【課題】 低いプロセス温度、高スループット且つ低コストで大粒径の多結晶シリコン膜を形成する。【解決手段】 半導体層上に第一絶縁層、W、Cr、Tiいずれかの金属をもちいた光吸収層、第二絶縁層を設け、波長1μm付近にピーク波長を有する複数の線状ランプ光源から発した光を楕円反射面を有する反射光学系をもちいて光吸収層上に集光し処理をおこなう。

請求項（抜粋）：

基板上に形成された半導体層上に第一絶縁層を形成する工程と、該絶縁層上にW、Ti、Crのいずれかの材料からなる光吸収層を形成する工程と、複数の線状光源から発した赤外域に出力ピーク波長を有する光を各光源に設置した楕円面を有する反射光学系により前記光吸収層上に線状に集光し、前記基板を相対的に移動させながら前記光吸収層に光照射することによって前記半導体層を結晶化させる工程と、を備える半導体薄膜の製造方法。

IPC (6件)：

H01L 21/20 ,  G02F 1/136 ,  G02F 1/1368 ,  H01L 21/26 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/786

FI (7件)：

H01L 21/20 ,  G02F 1/136 ,  G02F 1/1368 ,  H01L 29/78 627 G ,  H01L 21/26 F ,  H01L 21/26 J ,  H01L 21/26 T

Fターム (77件)：

2H092GA11 ,  2H092GA31 ,  2H092GA60 ,  2H092JA05 ,  2H092JA24 ,  2H092KA04 ,  2H092MA29 ,  2H092MA35 ,  2H092NA21 ,  2H092NA24 ,  2H092NA27 ,  2H092NA28 ,  2H092NA29 ,  5F052AA24 ,  5F052BA07 ,  5F052BA18 ,  5F052CA04 ,  5F052DA01 ,  5F052DA03 ,  5F052DA04 ,  5F052DA06 ,  5F052DB01 ,  5F052DB02 ,  5F052DB03 ,  5F052DB04 ,  5F052DB07 ,  5F052EA06 ,  5F052JA01 ,  5F052JA09 ,  5F110AA01 ,  5F110AA17 ,  5F110AA30 ,  5F110BB01 ,  5F110CC02 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110EE04 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110FF02 ,  5F110FF31 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG03 ,  5F110GG04 ,  5F110GG13 ,  5F110GG17 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110GG44 ,  5F110GG45 ,  5F110GG46 ,  5F110GG47 ,  5F110GG57 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ12 ,  5F110HJ13 ,  5F110HL03 ,  5F110HL23 ,  5F110HL24 ,  5F110NN02 ,  5F110NN04 ,  5F110NN23 ,  5F110NN35 ,  5F110PP02 ,  5F110PP05 ,  5F110PP06 ,  5F110PP11 ,  5F110PP23 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ25