特許

J-GLOBAL ID：200903085432952593

フォトレジスト剥離剤

発明者： 高島 正之
出願人/特許権者： 住友化学工業株式会社
代理人 (3件)： 久保山 隆 ,  中山 亨 ,  榎本 雅之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-207276
公開番号（公開出願番号）：特開2004-348103
出願日： 2003年08月12日
公開日（公表日）： 2004年12月09日
要約：

【課題】シリコン基板の表面へのダメージが少なく、しかもドライエッチング工程やイオン注入工程を経たフォトレジスト、フォトレジストを酸素プラズマで処理した後に生じる残渣物の剥離性能に優れたフォトレジスト剥離剤を提供する。【解決手段】塩基性化合物と、腐食抑制剤と、スルホキシド類、スルホン類、アミド類、ラクタム類、イミダゾリジノン類、ラクトン類、多価アルコール類および環状アルコール類からなる群から選ばれる少なくとも一つの有機化合物と、オキシエチレン基およびオキシプロピレン基を有する化合物とを含むことを特徴とするフォトレジスト剥離剤。【選択図】 なし

請求項（抜粋）：

塩基性化合物と、腐食抑制剤と、スルホキシド類、スルホン類、アミド類、ラクタム類、イミダゾリジノン類、ラクトン類、多価アルコール類および環状アルコール類からなる群から選ばれる少なくとも一つの有機化合物と、下記式(I)及び/又は式(II)で示される化合物とを含むことを特徴とするフォトレジスト剥離剤。 HO-((EO)x-(PO)y)z-H (I) (EOはオキシエチレン基を表わし、POはオキシプロピレン基を表わし、x及びyはx/(x+y)=0.05〜0.4を満足する整数を表わし、zは正の整数を表わす。) R-[((EO)x-(PO)y)z-H]m (II) (EO、PO、x、y、zは前記と同じ意味を表わし、Rは、R1-O-、H2N-R2-NH-、H2N-R2-N< 、-HN-R2-N< 、>N-R2-N< 、H2N-R3-O-、-HN-R3-O-、または >N-R3-O- を表わし、R1は炭素数1〜20のアルキル基を表わし、R2およびR3は炭素数1〜10のアルキレン基を表わし、mは1以上4以下の整数を表わす。)

IPC (2件)：

G03F7/42 ,  H01L21/027

FI (2件)：

G03F7/42 ,  H01L21/30 572B

Fターム (4件)：

2H096AA25 ,  2H096HA23 ,  2H096LA03 ,  5F046MA02