特許

J-GLOBAL ID：200903085435726810

半導体基板の前処理方法とその機能を具備する装置

発明者： 高崎 金剛 ,  恵下 隆
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 柏谷 昭司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-225592
公開番号（公開出願番号）：特開平5-136111
出願日： 1991年09月05日
公開日（公表日）： 1993年06月01日
要約：

【要約】【目的】 本発明は、Si基板上に、半導体材料を成長させる際に、Si基板上に存在する自然酸化膜を、Si基板に損傷を与えることなく除去することができる前処理方法を提供することを目的とする。【構成】 Si基板8の上に存在する自然酸化膜の表面部分をECR水素プラズマ、あるいはArプラズマによって除去し、その後、ECRで使用した導波管4からのマイクロ波の入射と電磁石9の励磁を断ち、水素ガスを流してアニールを行うことによって、ECR工程の後に残された自然酸化膜を完全に除去するように構成した。また、このアニールに際して、水素ガスとともに、あるいは、水素ガスに代えてSiH4 、AsH3 、GeH4 、Si2 H6 、Si3 H8 、B2H6 、Cl2 、HCl等の還元性ガスの一つあるいは複数を用いることができる。

請求項（抜粋）：

Si基板上の自然酸化膜の表面部分をECR水素プラズマによって除去する工程と、この工程の後に残された自然酸化膜を水素ガス中におけるアニールによって除去する工程を含むことを特徴とする半導体基板の前処理方法。

IPC (3件)：

H01L 21/304 341 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/302