特許
J-GLOBAL ID：200903085438402463
半導体磁器組成物の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井内 龍二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-066132
公開番号（公開出願番号）：特開平5-270909
出願日： 1992年03月24日
公開日（公表日）： 1993年10月19日
要約：
【要約】【構成】 チタン酸ストロンチウム化合物またはチタン化合物とストロンチウム化合物との混合物を含む原料混合物を半導体化する半導体化焼成工程と、前記半導体化焼成工程の後に結晶粒界層を粒界絶縁化する粒界絶縁化工程とを含む半導体磁器組成物の製造方法において、前記半導体化焼成工程における還元雰囲気の露点を0〜12°Cに設定する半導体磁器組成物の製造方法。【効果】 半導体化のための還元雰囲気焼成の際の成形体間溶着を抑制することができ、従って生産性を高めることができ、しかもコンデンサとしての絶縁性と容量性などの電気的特性を高めた半導体磁器組成物を得ることができる。
請求項（抜粋）：
チタン酸ストロンチウム化合物またはチタン化合物とストロンチウム化合物との混合物を含む原料混合物を半導体化する半導体化焼成工程と、前記半導体化焼成工程の後に結晶粒界層を粒界絶縁化する粒界絶縁化工程とを含む半導体磁器組成物の製造方法において、前記半導体化焼成工程における還元雰囲気の露点を0〜12°Cに設定することを特徴とする半導体磁器組成物の製造方法。
IPC (3件)：
C04B 35/46
, C04B 35/64
, H01G 4/12 304
