特許

J-GLOBAL ID：200903085449622244

太陽電池

発明者： 佐藤 ▲琢▼也 ,  根上 卓之 ,  橋本 泰宏
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 特許業務法人池内・佐藤アンドパートナーズ
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-321380
公開番号（公開出願番号）：特開2004-158556
出願日： 2002年11月05日
公開日（公表日）： 2004年06月03日
要約：

【課題】Ib族元素とIIIb族元素とVIb族元素とを含むカルコパイライト構造の半導体を光吸収層に用いた特性が高い太陽電池を提供する。【解決手段】導電層(第1の電極層)12と、光吸収層13として機能する化合物半導体層と、窓層と、透明導電層(第2の電極層)16とをこの順序で含む。光吸収層13は、Ib族元素とIIIb族元素とVIb族元素とを含むカルコパイライト構造の半導体で且つNaが添加された化合物半導体からなり、上記化合物半導体はIIIb族元素としてGaを含む。光吸収層13におけるNaとGaの濃度は、それぞれ、上記窓層側の表面が最も高く、導電層12側に向かって低下したのち、増大し、上記表面における濃度よりも低い濃度で一定となる。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

第1の電極層と、光吸収層として機能する化合物半導体層と、窓層と、第2の電極層とをこの順序で含む太陽電池であって、 前記化合物半導体層は、Ib族元素とIIIb族元素とVIb族元素とを含むカルコパイライト構造の半導体で且つNaが添加された化合物半導体からなり、 前記化合物半導体は前記IIIb族元素としてGaを含み、 前記化合物半導体層における前記Naと前記Gaの濃度は、それぞれ、前記窓層側の表面が最も高く、前記第1の電極層側に向かって低下したのち、増大し、前記表面における濃度よりも低い濃度で一定となることを特徴とする太陽電池。

IPC (1件)：

H01L31/04

FI (1件)：

H01L31/04 E

Fターム (12件)：

5F051AA10 ,  5F051AA16 ,  5F051CB14 ,  5F051CB18 ,  5F051CB29 ,  5F051DA12 ,  5F051DA20 ,  5F051FA04 ,  5F051FA06 ,  5F051GA02 ,  5F051GA06 ,  5F051HA19