特許

J-GLOBAL ID：200903085449868723

半導体発光素子

発明者： 船戸 健次 ,  朝妻 庸紀 ,  河合 弘治
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 松隈 秀盛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-057842
公開番号（公開出願番号）：特開平9-252163
出願日： 1996年03月14日
公開日（公表日）： 1997年09月22日
要約：

【要約】【課題】 窒化物系III-V族化合物半導体の多層構造による半導体発光素子おいて、その発光強度の向上をはかる。【解決手段】 窒化物系III-V族化合物半導体の多層構造による半導体発光素子おいて、発光層(活性層)5の厚さdを1.5nm以下0.3nm以上とする。

請求項（抜粋）：

窒化物系III-V族化合物半導体の多層構造による半導体発光素子おいて、発光層の厚さを1.5nm以下0.3nm以上とすることを特徴とする半導体発光素子。

IPC (2件)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00

FI (2件)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00 C

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 青色発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-114541   出願人：日亜化学工業株式会社