特許
J-GLOBAL ID：200903085449868723
半導体発光素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
松隈 秀盛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-057842
公開番号（公開出願番号）：特開平9-252163
出願日： 1996年03月14日
公開日（公表日）： 1997年09月22日
要約：
【要約】【課題】 窒化物系III-V族化合物半導体の多層構造による半導体発光素子おいて、その発光強度の向上をはかる。【解決手段】 窒化物系III-V族化合物半導体の多層構造による半導体発光素子おいて、発光層(活性層)5の厚さdを1.5nm以下0.3nm以上とする。
請求項（抜粋）：
窒化物系III-V族化合物半導体の多層構造による半導体発光素子おいて、発光層の厚さを1.5nm以下0.3nm以上とすることを特徴とする半導体発光素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
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