特許
J-GLOBAL ID：200903085450147606
ネガ型感放射線レジスト組成物およびこれを用いた微細パターン形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-013458
公開番号（公開出願番号）：特開平7-219227
出願日： 1994年02月07日
公開日（公表日）： 1995年08月18日
要約：
【要約】【目的】 高感度、高解像度でドライエッチング耐性にすぐれたネガ型感放射線レジストにより微細パターンを形成する。【構成】 本発明はTMAH溶液に対する特定の溶解速度をもつアルカリ可溶性樹脂と、特定のエステル化率をもつキノンジアジド化合物を用い、放射線によりパターン露光後、紫外光により全面露光した後現像することによりネガ型微細パターンを形成する方法に関する。【効果】 本発明によると、ドライエッチング耐性および解像度に優れるネガ型感放射線レジスト組成物を得ることができ、これを用いると高い感度でネガ型微細パターンが得られる。
請求項（抜粋）：
(1)テトラメチルアンモニウムヒドロキシド2.38%水溶液に対する溶解速度が300nm/30秒以下であるアルカリ可溶性樹脂と、(2)モノヒドロキシ化合物、モノアミノ化合物、ポリヒドロキシ化合物およびポリアミノ化合物の1,2-ナフトキノンジアジド-4-スルホン酸エステル、1,2-ナフトキノンジアジド-5-スルホン酸エステルおよび1,2-ナフトキノンジアジド-6-スルホン酸エステル(ただし、ポリヒドロキシ化合物およびポリアミノ化合物のエステルの場合はエステル化率70%以上)、からなる群より選ばれた一種または二種以上のキノンジアジド化合物、を含有することを特徴とするネガ型感放射線レジスト組成物。
IPC (4件)：
G03F 7/038 505
, G03F 7/022 501
, G03F 7/38 511
, H01L 21/027
H01L 21/30 502 R
, H01L 21/30 568
