特許

J-GLOBAL ID：200903085451321499

光起電力装置の製造方法

発明者： 西山 喜明 ,  有田 孝 ,  北村 外幸 ,  樋口 洋
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-154623
公開番号（公開出願番号）：特開平5-347424
出願日： 1992年06月15日
公開日（公表日）： 1993年12月27日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】CdTeを用いた光起電力装置の製造方法であり、裏面電極の抵抗を低減し、p+ -CdTe層を形成することにより高変換効率を得る光起電力装置を提供することを目的とする。【構成】少なくともCdTe膜3を含むII-VI族化合物半導体膜上に形成したカーボン膜4上にCu膜6を形成し、熱処理を施す。これにより低抵抗の裏面電極を形成することができ、同時にp+ -CdTe層を形成することができる。

請求項（抜粋）：

少なくともCdTe膜を含むII-VI族化合物半導体膜を基板上に積層してなる光起電力装置の製造方法であって、前記CdTe膜上にアクセプター不純物としてCu化合物を含むカーボン膜を形成した後、前記カーボン膜上にCu膜を形成し、熱処理を施すことにより一方の電極を形成することを特徴とする光起電力装置の製造方法。