特許
J-GLOBAL ID：200903085455109508
電子ビーム用超伝導加速空洞の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-065265
公開番号（公開出願番号）：特開平5-266996
出願日： 1992年03月23日
公開日（公表日）： 1993年10月15日
要約：
【要約】【目的】本発明は、マルチセルを製作するまでの工数を低減できるとともに、ビード部での高周波損失を減少できることを主要な目的とする。【構成】下型と上型を用いて超伝導材料(Nb,Nb-Ni合金等)から一対の半割マルチセル(14)をプレス加工により成型した後、前記2つの半割マルチセル(14)を分割面で長手熔接にて接合してマルチセル(14)を製作するすることを特徴とする電子ビーム用超伝導加速空洞の製造方法。
請求項（抜粋）：
一対の半割マルチセルをプレス加工により成型した後、前記半割マルチセルを分割面で熔接することを特徴とする電子ビーム用超伝導加速空洞の製造方法。
IPC (2件)：
H05H 9/00 ZAA
, H01L 39/00 ZAA
