特許
J-GLOBAL ID：200903085460877130
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
青木 朗 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-212103
公開番号（公開出願番号）：特開平5-055200
出願日： 1991年08月23日
公開日（公表日）： 1993年03月05日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、酸化膜の耐圧強度を高めることにより、長期間の電界印加においても酸化膜の絶縁破壊の発生を防止して、長期信頼性を高めた半導体装置の製造方法に関し、多大な投資や手間と時間を要さず、望ましくないエッチング作用も伴わずに、絶縁破壊が生じにくい酸化膜を形成できる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。【構成】 半導体基板上に酸化膜を形成する工程、および該酸化膜に酸素イオンを注入した後に熱処理することにより、該酸化膜中に存在する遊離金属原子を酸化物とする工程を含むように構成する。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に酸化膜を形成する工程、および該酸化膜に酸素イオンを注入した後に熱処理することにより、該酸化膜中に存在する遊離金属原子を酸化物とする工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/316
, H01L 29/784
