特許
J-GLOBAL ID：200903085462038497

ダイオード素子

発明者：
北田 瑞枝

北田 瑞枝 について

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大島 宏介

大島 宏介 について

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九里 伸治

九里 伸治 について


出願人/特許権者：
新電元工業株式会社

新電元工業株式会社 について


代理人 (1件)： 石島 茂男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-042535
公開番号（公開出願番号）：特開2003-243671
出願日： 2002年02月20日
公開日（公表日）： 2003年08月29日
要約：
【要約】【課題】ショットキーダイオードの耐圧を向上させる技術に関する。【解決手段】本発明のダイオード1によれば、細溝耐圧部251〜253の長辺と中間耐圧部28のリング内周の間の距離aは、その短辺と、中間耐圧部28のリング内周との間の距離bの二倍にされ、また、最内周の外側耐圧部271のリング内周と中間耐圧部28のリング外周との間の距離cと、互いに隣接する各外側耐圧部271、272の距離uと、互いに隣接する各細溝耐圧部251〜253の長辺間の距離dは、ともに距離aと等しくされ、各外側耐圧部271、272と中間耐圧部28のリング幅wと各細溝耐圧部251〜253の幅yとは互いに等しくされている。このため、最外周の外側耐圧部272より内側は全て空乏化した状態になり、最外周の外側耐圧部272より内側に位置する部分に局所的に電界が集中することはないので、従来の素子に比して耐圧が向上する。
請求項（抜粋）：
第1導電型の基板と、前記基板の主面に形成された複数の溝と、前記第1導電型とは反対の導電型である第2導電型の半導体であって、前記溝内に充填された半導体充填物と、前記主面に配置された電極膜とを有し、前記電極膜と前記基板表面とが接触する部分ではショットキー接合が形成され、前記電極膜と前記半導体充填物表面とが接触する部分ではオーミック接合が形成されたダイオード素子であって、前記溝は、平面形状がリング形状であって、リング内周の形状が四角形の第1の細溝リングと、平面形状が細長長方形であって、前記第1の細溝リングのリング内周よりも内側位置に、四辺が前記第1の細溝リングのリング内周と平行に配置された複数個の長方形細溝とを含み、前記第1の細溝リングの内部と前記各長方形細溝の内部に充填された前記半導体充填物によって、1個の中間耐圧部と、複数個の細溝耐圧部とがそれぞれ構成され、前記各細溝耐圧部の表面と、該細溝耐圧部間に位置する前記基板表面は前記電極膜と接触され、前記細溝耐圧部と前記中間耐圧部との距離のうち、前記中間耐圧部のリング内周と対向する細溝耐圧部の長辺と前記中間耐圧部のリング内周との間の距離aは、前記細溝耐圧部の短辺とリング内周との間の距離bの略二倍に設定されたダイオード素子。
IPC (4件)：
H01L 29/861 ,  H01L 21/329 ,  H01L 29/47 ,  H01L 29/872
FI (3件)：
H01L 29/91 D ,  H01L 29/91 B ,  H01L 29/48 F
Fターム (14件)：
4M104AA01 ,  4M104CC01 ,  4M104CC03 ,  4M104DD16 ,  4M104DD19 ,  4M104DD63 ,  4M104DD96 ,  4M104EE12 ,  4M104EE15 ,  4M104EE16 ,  4M104FF02 ,  4M104FF21 ,  4M104GG02 ,  4M104HH20
引用特許：
出願人引用 (19件)
  • 特開昭61-206262
  • 特開平3-105975
  • 整流用半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-118715   出願人：ローム株式会社
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審査官引用 (4件)
  • 特開平3-105975
  • 特開平3-105975
  • 特開昭61-206262
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