特許
J-GLOBAL ID：200903085463977748
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長谷川 芳樹 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-010780
公開番号（公開出願番号）：特開平6-224448
出願日： 1993年01月26日
公開日（公表日）： 1994年08月12日
要約：
【要約】【目的】 高利得の可変利得アンプ、ミキサ回路およびこれらに適したデュアルゲートFETを得ること。【構成】 この発明のデュアルゲートFETは、第1ゲート電極(ソース側ゲート電極)24のゲート幅と第2ゲート電極(ドレイン側ゲート電極)25のゲート幅とが互いに異なる。これを、可変利得アンプに適用すると高利得が得られる。また、第1ゲート電極と第2ゲート電極のゲート幅の大小関係を逆にしてミキサ回路に適用することにより高利得が得られる。
請求項（抜粋）：
第1ゲート電極のゲート幅と第2ゲート電極のゲート幅が異なっていることを特徴とするデュアルゲート電界効果トランジスタ。
IPC (3件)：
H01L 29/804
, H01L 29/76
, H03G 3/18
