特許
J-GLOBAL ID：200903085464930907
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-338481
公開番号（公開出願番号）：特開平10-178020
出願日： 1996年12月18日
公開日（公表日）： 1998年06月30日
要約：
【要約】【課題】デバイス製造工程中に外部から混入する重金属汚染物をデバイス活性領域から効率よく除去できない。【解決手段】半導体デバイス製造工程において、熱処理後、半導体基板中の重金属濃度を測定し、この濃度を固溶限界とする初期温度を求め、この初期温度から550°C以上の任意の温度までの温度域を0.01〜1°C/分の冷却速度で冷却する熱処理を行なう。
請求項（抜粋）：
半導体装置の製造工程において、あらかじめ半導体基板中の重金属濃度を測定し、この重金属濃度を固溶限界とする初期温度を求め、この初期温度から550°C以上の所定の温度までの温度域を、0.01〜1°C/分の冷却速度で冷却する熱処理工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/322 Y
, H01L 21/66 L
