ドライエッチング方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小池晃 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-099551
公開番号（公開出願番号）：特開平5-299389
出願日： 1992年04月20日
公開日（公表日）： 1993年11月12日
要約：

【要約】【目的】 CFC(クロロフルオロカーボン)ガスを使用せずに、W-ポリサイド膜の高選択, 異方性エッチングを行う。【構成】 W-ポリサイド膜5をCOS(硫化カルボニル)/SF6 /HBr混合ガスを用いてエッチングする。レジスト・マスク6の分解生成物に由来する炭素系ポリマーに、カルボニル基(>C=O)の導入により強い化学結合と静電吸着力が付与され、これにCOSから解離生成するS(イオウ)が加わって強固な側壁保護膜7が形成される。異方性加工に必要な入射イオン・エネルギーと炭素系ポリマーの堆積量が低減でき、レジスト・マスク6やゲート酸化膜2に対する選択性が向上する他、パーティクル汚染が抑制できる。ガスにS2 F2 等を添加してSの堆積を増強すれば更なる高選択化が、またWSix 層4のエッチング時にSF6 等を併用すれば高速化が実現する。

請求項（抜粋）：

シリコン系材料層と高融点金属シリサイド層とがこの順に積層されたポリサイド膜をエッチングするドライエッチング方法において、硫化カルボニルとハロゲン系化合物とを含むエッチング・ガスを用いて前記ポリサイド膜をエッチングすることを特徴とするドライエッチング方法。

引用特許：

審査官引用 (3件)

特開昭61-256638
特開昭53-146939
特開平4-084427

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