特許
J-GLOBAL ID：200903085465126346
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
内原 晋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-180642
公開番号（公開出願番号）：特開平5-029246
出願日： 1991年07月22日
公開日（公表日）： 1993年02月05日
要約：
【要約】【目的】隣接するトランジスタ間の素子分離を容易にし、さらにコンタクトのオーバーエッチングによる突き抜けを防ぎ、目合わせマージンを大きくする。【構成】選択酸化法による素子分離絶縁膜1が形成されている。つぎにゲート絶縁膜2、ゲート電極3、絶縁膜9が形成され、ゲート電極3の側面には側壁絶縁膜5が形成されている。さらに素子分離絶縁膜1からゲート電極3上の絶縁膜9にかかるポリシリコン8がN型導電層4に並列接続されている。そのため層間絶縁膜6にコンタクト7を開口するときオーバーエッチングしてもN型導電層8でエッチングを止めることができるのでコンタクト7は導電層4を突き抜けることはない。さらにポリシリコン8は素子分離絶縁膜1およびゲート電極3上の絶縁膜9までかかるように形成されているので、コンタクト7の目合わせマージンが大きくなる。
請求項（抜粋）：
一導電型半導体基板の一主面上に複数の素子分離絶縁膜が形成され、前記素子分離絶縁膜の形成されていない領域にゲート絶縁膜を隔ててゲート電極が形成され、前記ゲート電極の側面および上面に絶縁膜が形成され、前記半導体基板表面に形成された逆導電型層に接続された導体膜が前記素子分離絶縁膜上から前記逆導電型層を経て前記ゲート電極上の前記絶縁膜の一部を覆う、絶縁ゲート型電界効果トランジスタを含む半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 21/28
, H01L 21/76
, H01L 21/336
, H01L 29/784
