特許

J-GLOBAL ID：200903085466510980

固体撮像素子及びその製造方法

発明者： 春日 卓 ,  山下 満
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 野田 茂
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-019888
公開番号（公開出願番号）：特開2004-221506
出願日： 2003年01月29日
公開日（公表日）： 2004年08月05日
要約：

【課題】CCD型固体撮像素子やCMOS型固体撮像素子において、カラーフィルタやプリズムを用いる必要がなく、また製造が容易で、良好な色分解精度を得る。【解決手段】支持基板10上に絶縁層21、22、23を介して単結晶シリコン層31、32、33が形成されている。単結晶シリコン層31、32、33は、フォトセンサ部及び信号転送回路部から構成され、各単結晶シリコン層31、32、33の厚みは、色分解を行うのに最適な厚みに最適化されている。この結果、入射光は、各層を通過することで色分解され、各層のフォトセンサからの出力信号を適宜演算処理することにより、カラー画像やその他の可視光以外の波長光の検出を行うことができる。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

半導体基板中に入射光の波長毎の光吸収係数の差を用いて複数の波長成分光の光電変換を行う光電変換手段を設けたことを特徴とする固体撮像素子。

IPC (3件)：

H01L27/14 ,  H01L31/00 ,  H04N5/335

FI (4件)：

H01L27/14 D ,  H04N5/335 U ,  H01L27/14 K ,  H01L31/00 B

Fターム (35件)：

4M118AA10 ,  4M118AB01 ,  4M118BA13 ,  4M118BA14 ,  4M118CA04 ,  4M118CA08 ,  4M118CA34 ,  4M118DA03 ,  4M118FA06 ,  4M118FA13 ,  4M118FA26 ,  4M118FA35 ,  4M118GA10 ,  4M118GC08 ,  5C024AX01 ,  5C024CY47 ,  5C024DX01 ,  5C024EX52 ,  5C024GX03 ,  5C024GY01 ,  5C024GY31 ,  5F088AA02 ,  5F088AB03 ,  5F088BA01 ,  5F088BB03 ,  5F088DA13 ,  5F088DA17 ,  5F088EA04 ,  5F088EA14 ,  5F088EA20 ,  5F088FA09 ,  5F088FA11 ,  5F088FA20 ,  5F088HA10 ,  5F088HA20