特許
J-GLOBAL ID：200903085467190661
アクティブマトリックス型画像表示パネルの製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
久保田 耕平 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-096651
公開番号（公開出願番号）：特開平5-326953
出願日： 1991年04月26日
公開日（公表日）： 1993年12月10日
要約：
【要約】【目的】 画質と応答速度が共に優れたアクティブマトリックス型画像表示パネルを安定してしかも容易に製造できる方法を提供すること。【構成】 画素密度に対応してマトリックス状に配置されたスイッチング素子とこのスイッチング素子を駆動するドライブ回路とを同一のガラス基板3上に備えたアクティブマトリックス型画像表示パネルで、ポリシリコン層を成膜後エッチング処理してドライブ回路における活性層42を形成する一方、アモルファスシリコン層を成膜後エッチング処理してスイッチング素子における活性層52を形成したことを特徴とするもので、スイッチング素子用トランジスタのオフ電流の低減とドライブ回路におけるトランジスタの高移動度とを同時に達成することが可能となる。
請求項（抜粋）：
画素密度に対応してマトリックス状に配置されたスイッチング素子用の薄膜半導体素子群と、これ等スイッチング素子の周囲に配置され各スイッチング素子を駆動する薄膜半導体素子群を有するドライブ回路とを同一の絶縁性基板上に備えたアクティブマトリックス型画像表示パネルの製造方法において、ポリシリコン層を一様に成膜した後このポリシリコン層を選択的にエッチングして上記ドライブ回路における薄膜半導体素子群の活性層を形成するポリシリコン加工工程と、上記ポリシリコンの活性層が形成された絶縁性基板面へアモルファスシリコン層を一様に成膜した後このアモルファスシリコン層を選択的にエッチングして上記スイッチング素子用薄膜半導体素子群の活性層を形成するアモルファスシリコン加工工程、とを具備することを特徴とするアクティブマトリックス型画像表示パネルの製造方法。
IPC (2件)：
H01L 29/784
, G02F 1/136 500
