特許

J-GLOBAL ID：200903085473460751

断熱スイッチング・ビット・ラインを有するメモリ

発明者： ロバート・ヒース・デナード ,  デビッド・ジェームス・フランク
出願人/特許権者： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
代理人 (1件)： 合田 潔 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-008030
公開番号（公開出願番号）：特開平8-249886
出願日： 1996年01月22日
公開日（公表日）： 1996年09月27日
要約：

【要約】【課題】 電源または接地へのキャパシタンスの充放電による半導体メモリにおける熱放散の問題を解決する。【解決手段】 循環電源が徐々に変動する波形を発生して、ダイナミックRAMなどのメモリ・アレイ内のビット・ラインその他のラインをこれらのラインまたは循環電源に蓄積されているエネルギーが充放電サイクルの終了時に回収されるような態様で駆動する回路を備える。

請求項（抜粋）：

各々がワード・ラインとビット・ラインに接続され、アレイに配列された複数のメモリ・セルと、各々がそれぞれの前記ビット・ラインに結合され、前記ビット・ラインに結合されたメモリ・セルがそれぞれのワード・ラインによって選択されたときに、前記ビット・ラインのデータを感知するためのセンス増幅器と、前記メモリ・セルに対してデータの書込みまたは再書込みを行うために前記ビット・ラインに電圧波形を与える第1のエネルギー蓄積ネットワークと、前記第1エネルギー蓄積ネットワークを前記ビット・ラインに結合する第1のスイッチとからなり、前記第1エネルギー蓄積ネットワークによる前記メモリ・セルへのデータの書込みまたは再書込み中に前記ビット・ラインのキャパシタンスへ入れられたエネルギーが前記第1エネルギー蓄積ネットワークによってほぼ回収され、前記メモリ・セルへのデータの書込みまたは再書込み中に前記ビット・ラインのキャパシタンスから取り出されたエネルギーが前記第1エネルギー蓄積ネットワークによってほぼ戻される半導体メモリ。

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-069040   出願人：千葉植
• 半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-000972   出願人：株式会社日立製作所