特許

J-GLOBAL ID：200903085474666990

半導体装置製造用マスクおよび半導体装置の製造方法

発明者： 藤本 裕雅
出願人/特許権者： 松下電子工業株式会社
代理人 (1件)： 宮井 暎夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-344764
公開番号（公開出願番号）：特開平11-084625
出願日： 1997年12月15日
公開日（公表日）： 1999年03月26日
要約：

【要約】【課題】 露光波長を変更することなしに微細なコンタクトホールを容易に形成する。【解決手段】 コンタクトホール形成用透光領域11に近接してコンタクトホール形成用透光領域11とは透過光の位相が異なる補助透光領域12を配置した半導体装置製造用位相シフト型マスクを用いて露光を行うことにより、DRAM等の半導体集積回路のビット線コンタクトホールやストレージノードコンタクトホールを形成する。

請求項（抜粋）：

コンタクトホール形成用透光領域に近接して前記コンタクトホール形成用透光領域とは透過光の位相が異なる補助透光領域を配置したことを特徴とする半導体装置製造用マスク。

IPC (4件)：

G03F 1/08 ,  H01L 21/027 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242

FI (4件)：

G03F 1/08 A ,  H01L 21/30 502 P ,  H01L 21/30 528 ,  H01L 27/10 681 B